新一代半導體材料研究院是教育部首批支持的集成攻關大平臺之一，依托山東大學開展建設。平臺充分發(fā)揮山東大學在半導體材料研究領域的深厚基礎，瞄準半導體材料技術未來發(fā)展方向，面向能源、信息、國防、軌道交通等領域的重大需求，生長開發(fā)新一代寬禁帶、超寬禁帶半導體單晶材料，加強半導體器件關鍵技術突破，推動典型應用領域的應用示范，實現(xiàn)我國在半導體核心材料領域的換道超車，推動我國新一代半導體、集成電路、信息技術的快速發(fā)展，滿足國防安全和經(jīng)濟建設的重大需求。

學校新建1.2萬平方米研發(fā)大樓，打通半導體單晶生長-襯底加工-外延生長-器件制備全研發(fā)鏈條。平臺團隊年齡梯度合理、專業(yè)背景齊全，組建了一支包括中國工程院院士、教育部“長江.學者”特聘教授、國家杰出青年基金獲得者等在內(nèi)的高端研究團隊，主動“揭榜掛帥”獲批億元級戰(zhàn)略科技任務，與中電集團、中物院、華為等龍頭企業(yè)深度合作，致力于不斷突破核心關鍵技術、培養(yǎng)行業(yè)緊缺人才。

一、項目定位

優(yōu)秀青年科學基金項目（海外）旨在吸引和鼓勵在自然科學、工程技術等方面已取得較好成績的海外優(yōu)秀青年學者（含非華裔外籍人才）回國（來華）工作，自主選擇研究方向開展創(chuàng)新性研究，促進青年科學技術人才的快速成長，培養(yǎng)一批有望進入世界科技前沿的優(yōu)秀學術骨干，為科技強國建設貢獻力量。

二、申報條件

（一）基本條件

1.遵守中華人民共和國法律法規(guī)，具有良好的科學道德，自覺踐行新時代科學家精神;

2.出生日期在1985年1月1日（含）以后;

3.具有博士學位;

4.在2025年4月15日前，一般應在海外高校、科研機構、企業(yè)研發(fā)機構獲得正式教學或者科研職位，且具有連續(xù)36個月以上工作經(jīng)歷；在海外取得博士學位且業(yè)績特別突出的，可適當放寬工作年限要求；

5.取得同行專家認可的科研或技術等成果，且具有成為該領域?qū)W術帶頭人或杰出人才的發(fā)展?jié)摿Γ?/p>

6.申請人尚未全職回國（來華）工作，或者2024年1月1日以后回國（來華）工作。獲資助通知后須辭去海外工作或在海外無工作，全職回國（來華）工作不少于3年。

以上條件參考《2024年國家自然科學基金優(yōu)青青年科學基金項目（海外）項目指南》，最終請以2025年指南為準。

（二）研究方向與專業(yè)領域

單晶生長加工：碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、金剛石、氮化鋁、砷化硼等新一代半導體單晶材料生長、薄膜生長、襯底加工

功能器件：功率器件、先進激光技術、光電功能器件、聲波器件、微波器件制備

先進封裝：封裝測試、模組等相關技術領域

三、支持待遇

（一）高起點崗位發(fā)展：聘任為事業(yè)編制長聘教授，博士生導師，通過綠色通道聘任為山東大學杰出中青年學者（第一層次）。

（二）具有競爭力的薪酬：綜合年薪不低于60萬元，其中學校提供基礎年薪50萬元（不含單位繳納的社保、公積金等福利），研究院在學校年薪基礎上根據(jù)業(yè)績貢獻疊加業(yè)績績效或年薪配套，一般不低于10萬元，另可享受代表性成果獎勵，綜合收入上不封頂。

（三）充足的科研經(jīng)費保障：300-700萬元（含國家和省撥經(jīng)費）。

（四）優(yōu)良的工作和生活條件：提供安家及住房補助250萬元（其中200萬元免稅，稅后240萬元）。根據(jù)學校統(tǒng)一安排，首聘期免費入住人才公寓，并可享受優(yōu)惠價格購買龍山校區(qū)住房一套。符合條件者可申報濟南市博士后留濟工作補貼25萬元。

（五）優(yōu)質(zhì)的團隊資源：首聘期前三年每年由學校單列保障一個博士研究生指標，學院優(yōu)先保障研究生招生名額。學校根據(jù)團隊建設需要提供足額博士后指標，其中首聘期內(nèi)可提供不少于1個重點資助類博士后指標。

四、聯(lián)系方式

王老師，0531-88366003，dptwangyili@sdu.edu.cn（郵件主題標明為“姓名+應聘崗位+碩博英才網(wǎng)m.pasosdeviaje.com”）

本公告常年有效，請各位申報人先與研究院建立聯(lián)系，便于及時協(xié)助您處理各項申報事務。

新一代半導體材料研究院

2024年12月23日

原文出處：

http://dpt.sdu.edu.cn/info/1035/3503.htm